Cienkie warstwy a-Si:C::H do zastosowan w krzemowych ogniwach slonecznych |
| Autor: mgr inz. Barbara SWATOWSKA |
| Data: 2005-12-07 godz: 11:00 |
| Metoda PECVD, wybrana do otrzymywania warstw a-Si:C:H, ma szerokie możliwości technologiczne. Przeprowadzone w prezentowanej pracy badania dowodzą, że otrzymane warstwy a-Si:C:H, są konkurencyjnym materiałem dla innych, obecnie stosowanych warstw antyrefleksyjnych na krzemowe ogniwa multikrystaliczne. Poszukiwanie amorficznych materiałów do tego typu zastosowań bierze się stąd, że temperatura ich otrzymywania jest znacznie niższa w stosunku do materiałów krystalicznych. Poza tym amorficzne warstwy charakteryzują się bardzo dobrą jednorodnością, a obecność wodoru sprawia, że w zastosowaniach fotowoltaicznych pełnią podwójną rolę - są zarazem warstwą antyrefleksyjną i pasywującą. Pozwala to wykluczyć dodatkowy etap w technologii ogniw, jakim jest nakładanie warstwy pasywującej, a tym samym obniżyć koszty ich produkcji. Zastosowanie warstw antyrefleksyjnych a-Si:C:H do pokrywania ogniw słonecznych, pozwoliło na uzyskanie poprawy ich sprawności i fotoczułości. |
KE AGH © 2005 | | Administracja
